微星在昨日发布的博文中宣布，通过启用High-Efficiency模式，标准EXPO DDR5内存的延迟可降至71.6纳秒，接近EXPO ULL内存的71.4纳秒水平。EXPO是AMD为AM5平台和DDR5内存设计的一键超频技术，而EXPO ULL则通过收紧次要时序进一步降低延迟。
微星测试平台包括AMD Ryzen 7 9800X3D处理器、MSI B850MPOWER主板、两款芝奇16GB内存（标准版和EXPO ULL版）以及MSI GeForce RTX 5090显卡等。默认设置下，标准EXPO内存延迟为79.4纳秒，EXPO ULL内存为71.4纳秒。启用High-Efficiency模式后，标准EXPO内存延迟降至71.6纳秒，接近ULL表现。
微星表示，该模式不会显著改善EXPO ULL内存延迟，因此已使用ULL内存的用户无需启用。此功能已集成至MSI CLICK BIOS X中，用户可在“Overclocking”页面选择Tightest、Tighter、Balance或Relax四档预设。
