据悉，三星正扩大与英伟达在NAND Flash闪存供应方面的合作，以满足AI服务器快速增长的数据存储需求。随着AI服务器规模扩大，临时上下文数据（KV缓存）规模持续扩大，已形成数据瓶颈。英伟达希望通过上下文内存存储（CMX）缓解这一限制，三星已成为相关NAND的核心供应商。英伟达目前用于AI服务器的CMX搭载576块SSD，总存储容量达9600TB。业内预计，CMX所需的NAND需求将从2026年的3500万TB激增至2027年的1亿TB以上。
鉴于三星今年的NAND产量预计约2.5亿TB，公司计划凭借其世界一流的产能，成为英伟达CMX的核心供应商。在产线规划方面，三星电子V-NAND产能目前每月超过10万片晶圆，其中V9（286层）占比已达60%，进入量产稳定阶段；V8占比已降至40%以下，产能自去年以来快速向V9转移。
据悉，三星正加速布局下一代V10闪存，其可提供更高堆叠层数，让英伟能在同一CMX模块内配置更高容量SSD，进一步承接GPU外溢的上下文数据。技术路线方面，三星正研究面向英伟达CMX的V11 NAND，其最高堆叠高度可达500层，比V10多100层；V10的存储密度较V9（286层）提高50%。
