快科技6月23日消息，进入3D时代之后，提升NAND闪存容量的关键技术就是堆栈的层数了，现在量产的也就300多层，再过5年就要奔向1000层以上了。
目前SK海力士量产了321层的闪存（他们自己叫4D闪存），主流产品还在200-300层之间，三星年内计划量产400层以上的Gen10 V-NAND闪存。
再往后呢，3D闪存的层数还要往500层以上堆，三星上月底公布了一个900层堆栈的闪存技术，实际上是靠CMB多层键合技术将2个450层的闪存芯片键合起来的。
三星的志向不会止步于此，500多层堆栈的技术成熟之后，靠键合技术还能再做到1000层以上，三星预测的时间是2030年左右，实际更应该是在2030年之后。
这对大家来说有什么意义，要知道当前200多层堆栈QLC闪存的消费级M.2硬盘也就8TB容量，1000层的QLC SSD可以轻松做到32TB，到时候真的不需要什么HDD硬盘了。
AI、企业级的硬盘就更不得了，当前的容量做到256TB没问题，未来几年要奔着1000TB去了，也就是PB级容量开始了。
当然，那时候要是价格降不下来，32TB的SSD硬盘恐怕会是天价，普通人买不起的。
